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    國內廠商開發出DRAM內存芯片新技術

    放大字體  縮小字體 發布日期:2022-06-20  來源:智能制造網  瀏覽次數:39
      EUV光刻機是研制先進芯片的一條路徑,但并非唯一解。
     
      對于國內廠商來說,當前在3D NAND閃存的發展上,就因為不需要EUV機器,從而找到了技術追趕的機會。
     
      而在DRAM內存芯片領域,盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV,可來自浙江海寧的芯盟則開辟出繞過EUV光刻的新方案。
     
      據問芯報道,在中國國際半導體技術大會CSTIC 2022中,芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術的3D 4F² DRAM架構問世。
     
      他指出,基于HITOC技術所開發的全新架構3D 4F² DRAM芯片,最大特點是不需要用到EUV光刻機,也不需要多重圖形曝光SAQP(Self-Aligned Quadruple Patterning)步驟,這可以大幅減少成本,更重要的是,避免了設備被國外制造商卡脖子。
     
      所謂HITOC,即Heterogeneous Integration Technology on Chip的縮寫,就是運用先進的晶圓對晶圓和晶粒對晶圓混合鍵合制造工藝,將不同類型的晶圓或晶粒上下對準貼合,以實現真正的三維異構單芯片集成。
     
    關鍵詞: DRAM內存芯片
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