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    美光業界首發232層3D NAND閃存!計劃明年投產

    放大字體  縮小字體 發布日期:2022-05-14  來源:智能制造網  瀏覽次數:38
     近日,美光公司發布了業界首個具有232層的3D NAND閃存,并宣布該技術將會投入包括SSD在內的多種產品。
     
      據悉,這種232層的3D NAND閃存采用3D TLC架構,原始容量為1Tb(128GB);芯片基于美光的CuA架構,并使用NAND的字符串堆疊技術。
     
      CuA架構的設計,配合232層的高堆疊,有效減少了1Tb 3D TLC NAND閃存的芯片尺寸,有望降低產品的生產成本,提升競爭力。
     
      美光目前并未宣布232層3D TLC NAND IC的I/O速度或平面數量,但從透露的信息來看,新的內存應該會提供更高的性能,這對采用PCIe 5.0接口的下一代SSD來說,無疑是一個好消息。
     
      在具體的產品層面上,美光的技術和產品執行副總裁Scott DeBoer稱,公司目前已經與第三方NAND控制器開發者達成合作,從而實現對新型內存的支持。
     
      此外,美光表示,預計將在2022年底開始生產232層3D TLC NAND閃存,按此計劃,采用這種新技術的SSD應該會在明年與用戶見面。
     
    關鍵詞: 3D NAND
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